晶圓半導體量測儀器功能與應用綜合分析
摘要 本報告旨在對 Mitaka Kohki 的 NH-3SP 膜厚量測儀器進行深入分析，並與市場上其他具備類似功能的晶圓半導體量測儀器進行比較。報告內容涵蓋 NH-3SP 的核心功能、在半導體製程中的應用階段，以及各類儀器的技術原理、優勢、限制和應用場景。透過整合分析與視覺化呈現，提供對晶圓量測技術的全面理解。 1. Mitaka Kohki NH-3SP 膜厚量測儀器分析 根據志隆儀器官網的資訊 ，Mitaka Kohki 的 NH-3SP 膜厚量測儀器主要用於 Step Height 量測，其核心功能與技術特點如下： Macro巨集程式化自動量測：具備自動量測晶圓表面線路膜厚、線寬、粗糙度的能力，並透過 Alignment Mark 自動辨識實現高度自動化。 影像與輪廓量測功能：可進行寬度、圓徑、中心點等影像量測，以及膜厚、線寬、PITCH、step height（階高）及粗度等輪廓量測。 非接觸式量測：採用點雷射自動聚焦技術，掃描樣品表面形貌與微結構輪廓，實現精準快速的自動化量測，且不會刮傷樣品表面，特別適合量測高深寬比的微結構輪廓。 高精度：搭載高精度光學尺，解析度可達 0.001um。 問題診斷：影像與輪廓量測的搭配，有助於在數據異常時快速判斷問題原因。 1.1 NH-3SP 在晶圓半導體製程中的應用階段 NH-3SP wafer 膜厚量測儀器在晶圓半導體製程中扮演關鍵的品質控制與製程監測角色，主要應用於以下階段 ： 薄膜沉積 (Thin Film Deposition)：精確量測介電層、金屬層或其他功能性薄膜的厚度與均勻性。 微影蝕刻 (Photolithography and Etching)：量測線路線寬、蝕刻深度 (step height) 及粗糙度，確保圖案轉移的精確性。 化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Planarization, CMP)：量測 CMP 前後的階高 (step height) 變化，評估平坦化效果。 先進封裝技術 (Advanced Packaging)：監測 AI 晶片、HPC 和 CoWoS 等複雜結構的 3D 表面形貌，確保製程穩定性與良率。 總體而言，NH-3SP 主要用於半導體製程中的前段製程 (FEOL) 和後段製程 (BEOL) 的多個關鍵檢測點，尤其在需要高精度非接觸式量測薄膜厚度、線寬、階高和表面形貌的環節。 2. 類似功能晶圓半導體量測儀器比較 市場上存在多種與 […]
